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v 應用:用于半導體材料內部含量檢測,同質外延厚度測量和其他應用,用于的半導體工廠,在硅生長和器件制造領域進行材料表征
v 光譜范圍:遠紅外、中紅外、近紅外、可見光
v 信噪比:>55000:1
v 光譜分辨率(cm-1):<0.09電阻率: 1.0μ - 300.0k Ω.cm
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