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v 高分辨率掩模對(duì)準(zhǔn)光刻,特征尺寸優(yōu)于0.5微米
v 基片尺寸可滿足4、6、8、12英寸
v 經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì),方便處理各種非標(biāo)準(zhǔn)基片、例如混合、高頻元件和易碎的III-V族材料,包括砷化鎵和磷化銦
v 設(shè)備可通過(guò)選配升級(jí)套件,實(shí)現(xiàn)紫外納米壓印光刻
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